technische information / technical information netz thyristor phase control thyristor t 3401 n 31...36 tof bip am / sm pb / 2001-04-10, przybilla j./ keller release 3 seite/page n 1 features: volle sperrf?higkeit bei 125 mit 50 hz full blocking capability at 125c with 50 hz hohe sto?str?me und niedriger w?rme- high surge currents and low thermal resistance widerst?nde durch ntv-verbindung by using low temperature joining technique ntv zwischen silizium und mo-tr?gerscheibe between silicon wafer and molybdenum elektroaktive passivierung durch a - c:h electroactive passivation by a - c:h elektrische eigenschaften / electrical properties h?chstzul?ssige werte / maximum rated values periodische vorw?rts - und rckw?rts - spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state and reverse voltage f = 50 hz v drm , v rrm t v j min = -40c t v j min = 0c 3100 3200 3300 3400 3500 3600 3600 3700 v v v v durchla?strom-grenzeffektivwert rms forward current i trmsm 7500 a dauergrenzstrom mean forward current t c = 85c, f = 50hz t c = 60c, f = 50hz i tavm 3550 4780 a a sto?strom-grenzwert surge forward current t vj = 25c, t p = 10ms t vj = t vj max , t p = 10ms i tsm 75 ka grenzlastintegral i 2 t-value t vj = 25c, t p = 10ms t vj = t vj max , t p = 10ms i 2 t 28 10 6 a 2 s kritische stromsteilheit critical rate of rise of on-state current din iec 747-6 f = 50hz, v d = 0,67 v drm i gm = 3a, di g /dt = 6a/s (di/dt) cr 300 a/s kritische spannungssteilheit critical rate of rise of off-state current t vj = t vj max , v d = 0,67 v drm 5. kennbuchstabe / 5 th letter f (dv/dt) cr 1000 v/s
technische information / technical information netz thyristor phase control thyristor t 3401 n 31...36 tof bip am / sm pb / 2001-04-10, przybilla j./ keller release 3 seite/page n 2 charakteristische werte / characteristic values durchla?spannung on-state voltage t vj = t vj max , i t = 4ka v t typ 1,3 max 1,4 v schleusenspannung / threshold voltage ersatzwiderstand / slope resistance t vj = t vj max v (to) r t typ 0,76 0,135 max 0,82 0,145 v m ? durchla?rechenkennlinien 500a i t 5000 a on - state characteristics for calculation v t = a + b . i t + c . ln(i t +1) + d . i t t vj = t vj max a b c d 0,742 - 0,0000703 -0,0676 0,022 0,449 0,0000584 0,039 0,00619 zndstrom gate trigger current t vj = 25c, v d = 6v i gt 350 ma zndspannung gate trigger voltage t vj = 25c, v d = 6v v gt 2,5 v nicht zndender steuerstrom gate non-trigger current t vj = t vj max , v d = 6v t vj = t vj max , v d = 0,5 v drm i gd 20 10 ma ma nicht zndende steuerspannung gate non-trigger voltage t vj = t vj max , v d = 0,5 vdrm v gd 0,4 v haltestrom holding current t vj = 25c, v d = 12v, r a = 4,7 ? i h 350 ma einraststrom latching current t vj = 25c, v d = 12v, r gk 10 ? i gm = 2a, di g /dt= 4 a/s, t g = 20s i l 3a vorw?rts- und rckw?rts-sperrstrom forward off-state and reverse currents t vj = t vj max v d = v drm , v r = v rrm i d , i r 200 ma zndverzug gate controlled delay time din iec 747-6 t vj = 25c, i gm = 2a, di g /dt = 4a/s t gd 1,5 s freiwerdezeit circuit commutated turn-off time t vj = t vj max , i tm = i tavm v rm = 100v, v dm = 0,67 v drm dv d /dt = 20v/s, -di t /dt = 10a/s 4. kennbuchstabe / 4 th letter o t q typ 300 s sperrverz?gerungsladung recovered charge t vj = t vj max i tm = 4000a, di/dt = 10 a/s v r = 0,5 v rrm , v rm = 0,8 v rrm q r 10,5 mas rckstromspitze peak reverse recovery current t vj = t vj max i tm = 4000a, di/dt = 10 a/s v r = 0,5 v rrm , v rm = 0,8 v rrm i rm 300 a
technische information / technical information netz thyristor phase control thyristor t 3401 n 31...36 tof bip am / sm pb / 2001-04-10, przybilla j./ keller release 3 seite/page n 3 thermische eigenschaften / thermal properties innerer w?rmewiderstand thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, = 180sin beidseitig / two-sided , dc anode / anode dc kathode / cathode dc r thjc 0,0054 0,0050 0,0093 0.0108 c/w c/w c/w c/w bergangs-w?rmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sided einseitig / single-sided r thch 0,0015 0,0030 c/w c/w h?chstzul?ssige sperrschichttemperatur max. junction temperature t vj max 125 c betriebstemperatur operating temperature t c op -40...+125 c lagertemperatur storage temperature t stg -40...+150 c mechanische eigenschaften / mechanical properties geh?use, siehe anlage case, see appendix seite 4 si - element mit druckkontakt, amplifying gate si - pellet with pressure contact, amplifying gate silizium tablette silicon wafer 101tn36 anpre?kraft clampig force f 63...91 kn gewicht weight g typ 3000 g kriechstrecke creepage distance 49 mm feuchteklasse humidity classification din 40040 c schwingfestigkeit vibration resistance f = 50hz 50 m/s 2 mit dieser technischen information werden halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine eigenschaften zugesichert. sie gilt in verbidung mit den zugeh?rigen technischen erl?uterungen. this technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. it is valid in combination with the belonging technical notes.
technische information / technical information netz thyristor phase control thyristor t 3401 n 31...36 tof bip am / sm pb / 2001-04-10, przybilla j./ keller release 3 seite/page n 4 ma?bild / outline
technische information / technical information netz thyristor phase control thyristor t 3401 n 31...36 tof bip am / sm pb / 2001-04-10, przybilla j./ keller release 3 seite/page n 5 durchla?kennlinie i t = f ( v t ) limiting and typical on-state characteristic ? ? ? ? t vj = 125 c 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 5000 5500 00,511,522,5 vt [v] i t (a) typ max
technische information / technical information netz thyristor phase control thyristor t 3401 n 31...36 tof bip am / sm pb / 2001-04-10, przybilla j./ keller release 3 seite/page n 6 steuerkreischarakteristik mit zndbereichen gate characteristic with triggering areas v g = f (i g ), v d = 6v parameter a b c steuerimpulsdauer / trigger pulse duration t g (ms 10 1 0,5 h?chstzul?ssige spitzensteuerverlustleistung max. rated peak power dissipation p gm (w) 20 40 60 transienter innerer w?rmewiderstand 30 20 10 5 2 1 0,5 0,2 10 10000 5000 2000 50 20 100 200 500 1000 i g [m a ] +125c +25c -4 0 c a b c
technische information / technical information netz thyristor phase control thyristor t 3401 n 31...36 tof bip am / sm pb / 2001-04-10, przybilla j./ keller release 3 seite/page n 7 transient thermal impedance z (th) jc = f (t) doppelseitige khlung anodenseitige khlung kathodenseitige khlung r [k/w] [s] r [k/w] [s] r [k/w] [s] 1 0,001253 1,58 0,00556 8,5 0,007 9,3 2 0,00227 0,38 0,00264 0,33 0,0027 0,35 3 0,00058 0,117 0,0004 0,049 0,000455 0,044 4 0,000513 0,0225 0,00047 0,0137 0,000447 0,012 5 0,000384 0,0058 0,00023 0,0046 0,000198 0,0044 0,005 - 0,0093 - 0,0108 - doppelseitige khlung / double sided cooling : add. r th [k/w] 180-rechteckstrom / 180 rectangular current: 0,00044 120-rechteckstrom / 120 rectangular current: 0,00066 60-rechteckstrom / 60 rectangular current: 0,00096 30-rechteckstrom / 30 rectangular current: 0,00115 180-sinusstrom / 180 sine current: 0,0004 () zre thjc thn t n n n =?? ? = 1 1 / max 0 0,005 0,01 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t / [sec.] z (th) jc / [k/w] d k a
technische information / technical information netz thyristor phase control thyristor t 3401 n 31...36 tof bip am / sm pb / 2001-04-10, przybilla j./ keller release 3 seite/page n 8 sperrverz?gerungsladung / recoverd charge q rr = f ( - di/dt) t vj = 125 c, i tm = 4000a, v r = 0,5 ? v rrm , v rm = 0,8 ? v rrm 9 8 7 6 50 40 30 20 10 5 4 3 2 30 20 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 -d i/d t [a / s ] q rr [mas] max
technische information / technical information netz thyristor phase control thyristor t 3401 n 31...36 tof bip am / sm pb / 2001-04-10, przybilla j./ keller release 3 seite/page n 9 rckstromspitze / reverse recovery current (typische abh?ngigkeit / typical dependence) i rm = f (di/dt) t vj = 125 c, i tm = 4000a, v r = 0,5 ? v rrm , v rm = 0,8 ? v rrm 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 di/dt [a /s] i rm [a]
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